Infineon setzt in Villach auf großformatige Wafer für seine GaN-Produktion. Die Fertigung von Leistungshalbleitern erfolgt auf 300 Millimeter großen Substraten. Dadurch lassen sich hohe Stückzahlen für unterschiedliche technische Anwendungen realisieren. Das Unternehmen investiert bis 2034 ungefähr 1,1 Milliarden Euro. Verwendet und modernisiert werden die bestehenden Reinräume des Standorts. Ende 2027 soll die neue Fertigung den Betrieb aufnehmen. Ihr Ausbau wird fortlaufend an den Marktbedarf angepasst.
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Villach stärkt mit 300 Millimetern seine GaN-Fertigungskompetenz weltweit deutlich
Die neue GaN-Produktionsplattform in Villach basiert auf Wafern mit 300 Millimetern Durchmesser. Infineon richtet die Fertigung damit auf hohe Volumina und industrielle Skalierung. Das größere Format ermöglicht zahlreiche Bauelemente innerhalb eines gemeinsamen Fertigungsprozesses. Dadurch können Produktionsabläufe effizient auf wachsende Anforderungen ausgerichtet werden. GaN erhält eine belastbare Basis für die nächste Generation von Leistungschips. Villach kombiniert hierfür moderne Anlagen mit vorhandener Erfahrung im Halbleiterbereich. Der Standort stärkt seine globale Funktion als Kompetenzzentrum nachhaltig.
Infineon modernisiert Infrastruktur statt neue Reinräume vollständig zu errichten
Für zusätzliche Produktionskapazität werden bestehende Reinräume technisch weiterentwickelt am Standort. Infineon kann dadurch auf vorhandene Infrastruktur und Erfahrung aufbauen direkt. Die Modernisierung ist weniger aufwendig als die Errichtung neuer Gebäude. Sie beschleunigt zudem die Vorbereitung der Fertigung und begrenzt Kosten. Der Standort erhält schrittweise neue Prozessmöglichkeiten innerhalb bestehender Strukturen dadurch. Die Ausbaugeschwindigkeit folgt den Bestellungen und Erwartungen des Marktes konsequent. Damit bleibt die Kapazitätsplanung wirtschaftlich tragfähig und anpassungsfähig für Infineon.
Galliumnitrid schafft effiziente Stromversorgung für energieintensive digitale Anwendungen künftig
Galliumnitrid-Komponenten verbessern Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit niedrigeren Verlusten umwandeln. Diese Eigenschaften beschleunigen die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung erschließt daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Infineon koppelt GaN-Produktionsausbau in Villach an tatsächliche Nachfrage direkt
Am Infineon-Standort Villach ist der Beginn der Produktion von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern für Ende 2027 vorgesehen. Bis 2034 will das Unternehmen etwa 1,1 Milliarden Euro investieren. Die Fertigungskapazität soll entsprechend der Nachfrage wachsen und nicht vorab vollständig festgelegt werden. Dieser Ansatz erlaubt eine laufende Anpassung des Hochlaufs an Kundenaufträge, Marktprognosen und wirtschaftliche Entwicklungen. Infineon kann dadurch zusätzliche Mengen gezielt bereitstellen und gleichzeitig die Auslastung vorhandener Produktionsanlagen kontrolliert steuern.
Neue Fördermittel erweitern Europas industrielle Basis für Leistungshalbleiterfertigung erheblich
Die Mittel des Europäischen Chips Acts in Höhe von 319 Millionen Euro fördern den Aufbau einer leistungsfähigen Halbleiterfertigung. Das Programm unterstützt die Produktion moderner Leistungshalbleiter auf europäischem Territorium und stärkt damit die industrielle Eigenständigkeit der Region. Die zusätzliche Hochvolumenkapazität kann die Verfügbarkeit von Komponenten für energieintensive und digitalisierte Anwendungen verbessern. Zugleich schafft die Förderung Anreize für Investitionen in Produktionsprozesse, Anlagen und Fachkompetenz. Das Projekt trägt somit zu einer widerstandsfähigeren Halbleiterwirtschaft bei.
Durch die Modernisierung bestehender Reinräume entsteht eine zukunftsfähige GaN-Fertigung direkt. Die Nutzung vorhandener Anlagen spart Zeit Ressourcen und Investitionsmittel erheblich. 300-Millimeter-Wafer bilden dabei die Basis für skalierbare Serienproduktion künftig dort. Infineon plant den Kapazitätsaufbau entsprechend realen Marktanforderungen flexibel weiter aus. So lassen sich Liefermengen an wechselnde Nachfragebedingungen besser anpassen künftig. Energieeffiziente Chips dienen Rechenzentren Fahrzeugen und elektrischen Netzen gleichermaßen weltweit. Der Chips Act fördert lokale Produktion und reduziert strategische Abhängigkeiten.
