Der japanische Technologie-Entwickler Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited verspricht sich mit der Einführung des 8-Mbit–FRAM MB85RQ8MLX mit Quad-SPI deutliche Verbesserungen bei der Dichte seiner SPI-Schnittstellen-FRAM-Produktfamilie. Sie soll darüber hinaus auch Probleme bei Flash, EEPROM oder Low-Power-SRAM beheben helfen.
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8Mbit Quad SPI FRAM: hohe Beständigkeit in kritischen Umgebungen
Fujitsus Neuzugang, der 8-Mbit-FRAM MB85RQ8MLX ist ein 8mbit dichter Speicher, der mit einer niedrigen Versorgungsspannung von 1,7 Volt bis 1,95 Volt arbeitet. Die Quad-SPI-Schnittstelle ermöglicht dem neuen FRAM beim Lesen und Schreiben eine Geschwindigkeit von 58 MB pro Sekunde bei vier E/A-Pins. Darüber arbeitet das Modul in Hochtemperatur-Umgebungen von über 100 Grad mit einer Betriebsfrequenz von 108 MHz.
Eignung für High-Performance-Computing
Diese hohen Werte bei der Beständigkeit gegenüber kritischen Umgebungsfaktoren und die Betriebsperformance prädestinieren die Komponente zu einem lohnenden Einsatz bei High Level-Anwendungen. Exemplarisch dafür stehen Mensch-Maschine-Interfaces (HMI), Rechenzentren, Industrie-Computer, High-Performance-Computing (HPC), sowie speicherprogrammierbare Steuerungen.
FRAM: Problemlöser für Flash, EEPROM oder Low-Power-SRAM
FRAM verfügt als nichtflüchtiger Speicher über eine erhöhte Geschwindigkeit und stärkere Beständigkeit beim Lesen und Schreiben von Informationen. Des Weiteren kann er seine Funktionen bei einer sehr niedrigen Stromversorgung absolvieren.
Damit bietet sich das Gerät als Lösung für Probleme an, die bei herkömmlichem Flash, EEPROM oder Low-Power-SRAM auftreten können. Der 8-Mbit-FRAM MB85RQ8MLX ergänzt die bisherigen Fujitsu-Modelle mit seinen neuen Fähigkeiten. So ist das Unternehmen nun in der Lage mehr spezielle Kunden-Wünsche funktionsgerecht abbilden zu können.
Fujitsu: neue Speicher für spezielle Kundenwünsche
Die im Jahre 2000 in Yokohama gegründet Tochtergesellschaft des Fujitsu Semiconductor Limited-Konzerns, Fujitsu Semiconductor Memory Solution hat es sich zur Aufgabe gemacht, stetig neue Speicherformen zu entwickeln. Mit diesen sollen Nutzer in die Lage versetzt werden, die Möglichkeiten für Anwendungen ihrer damit ausgestatteten Geräte beständig weiter zu entwickeln. Fujitsus Interesse liegt dabei vor allem auf Entwicklungen im Bereich der sehr stabilen und leistungsfähigen nichtflüchtigen Speicher.
Hier wären zu nennen, die Standards der Ferroelectric Random-Access Memory (FRAM) und Resistive Random-Access Memory (ReRAM)-Technologie. Das Unternehmen hat sich darüber hinaus durch seine Strukturen in Entwicklung und Distribution, sowie zahlreichen Filialen in den USA, Europa und Asien eine bedeutende Position im globalen Markt für Halbleiter sichern können.
